半導(dǎo)體照明按產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)看,從下游到中游再到上游,技術(shù)含量與難度逐漸加大。 襯底作為半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展的基石,目前能用于批量生產(chǎn)外延片的襯底材料僅有藍寶石和碳化硅襯底,其它諸如 GaN、Si、ZnO襯底還處于研發(fā)階段,離產(chǎn)業(yè)化還有一段距離;芯片技術(shù)正向襯底剝離技術(shù)、表面粗化技術(shù)、發(fā)展大功率大尺寸芯片并提高側(cè)向出光的利用效率等方向發(fā)展;在封裝方面,各單位都在致力于解決散熱、二次光學(xué)設(shè)計、靜電防護、篩選與可靠性保證等關(guān)鍵技術(shù),并向大面積芯片封裝、開發(fā)大功率紫外光LED、開發(fā)新的熒光粉和涂敷工藝、多芯片集成封裝等方向發(fā)展。
目前,美、日、德、臺灣已經(jīng)發(fā)展成為世界半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)技術(shù)水平最高的國家和地區(qū),處于引領(lǐng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展方向的前沿位置,且大部分專利技術(shù)掌握在以 Cree 、 Lumileds、 Nichia 、 Toyoda Gosei 、 Osram 為首的少數(shù)大公司手中,對核心技術(shù)有很強的保護措施;同時,各主要國家和地區(qū)紛紛制訂產(chǎn)業(yè)發(fā)展技術(shù)路線圖,組織強勢企業(yè)和科研機構(gòu)進行技術(shù)突破,擬在技術(shù)領(lǐng)域占領(lǐng)制高點。 我國半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)在“ 863”和攻關(guān)計劃的支持下,技術(shù)水平發(fā)展很快,在個別環(huán)節(jié)上 達到國際先進水平(如功率型藍芯片發(fā)光功率 現(xiàn)已 達到130 mw,功率型白光LED發(fā)光效率超過35 lm/w), 但整體水平與國外相比還存在很大的差距,僅從專利角度看, 主要 差距 表現(xiàn)在上游專利申請量少,并以外圍發(fā)明專利為主,下游申請量雖大,但大部分都是實用新型專利。
全球半導(dǎo)體照明市場增長很快, 2003年達到規(guī)模45億美元,近幾年年均增長率超過20%。 作為照明基礎(chǔ)的高亮度 LED的增長更加迅速,在1995-2004年的十年間年均增長率達到46%,2004年市場規(guī)模達到37億美元。目前,高亮LED主要應(yīng)用于手機與PDA等背光源、顯示屏、汽車、交通信號、景觀裝飾、特種工作照明等領(lǐng)域,其中手機、PDA等的背光源占高亮LED市場的58%。
目前,全球半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)形成了 以美國、亞洲、歐洲三足鼎立的全球產(chǎn)業(yè)格局。 世界主要廠商分布在美國、日本、歐盟等地,他們擁有核心技術(shù)專利,在 GaN基藍、藍光LED、白光技術(shù)方面具有領(lǐng)先優(yōu)勢,同時在產(chǎn)業(yè)規(guī)模方面也具有優(yōu)勢。我國臺灣地區(qū)和韓國堵塞LED產(chǎn)業(yè)近年來發(fā)展很快,臺灣地區(qū)的芯片數(shù)量和封裝產(chǎn)量占到全球的60%。半導(dǎo)體照明是一個新興的產(chǎn)業(yè),技術(shù)水平發(fā)展很快,新技術(shù)、新產(chǎn)品不斷涌現(xiàn),一些可以用于白光照明的功率型 LED產(chǎn)品已可批量生產(chǎn),產(chǎn)業(yè)發(fā)展已達到一個快速上升的閾值。
2003年中國(不含臺灣、香港、澳門、西藏地區(qū))LED的生產(chǎn)數(shù)量達到200億只,銷售額為100億元人民幣,約占全球市場的12% 。 1993-2003年間中國LED銷售量和銷售額的年均增長率分別為20 % 和 31 % 。 據(jù)預(yù)測,未來五年我國 LED的年均增長率仍將保持19%左右,2008年市場規(guī)模有望達到250億元,功率型LED產(chǎn)品市場平均增長率將達到27%。
目前,國際半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)競爭逐步加劇,知識產(chǎn)權(quán)和行業(yè)標準成為競爭的熱點。主要廠商利用其專利方面的優(yōu)勢,試圖通過設(shè)置專利壁壘和制定行業(yè)標準來控制市場,限制和阻撓其它國家和企業(yè)的發(fā)展,在競爭中占據(jù)有利地位。 |