作為21世紀(jì)的節(jié)能新光源—半導(dǎo)體照明技術(shù)迅速發(fā)展,其在顯示,景觀照明等方面應(yīng)用很廣泛。半導(dǎo)體LED若要作為照明光源,目前LED照明光源的光通量與熒光燈等通用性光源相比,還有一定差距。因此,LED要在照明領(lǐng)域發(fā)展,關(guān)鍵是要將其發(fā)光效率、光通量提高至現(xiàn)有照明光源的等級(jí)。要實(shí)現(xiàn)這目的,首先要提高LED本身的質(zhì)量,要研制高功率LED器件,另外要對LED照明器具進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì),提高LED的使用質(zhì)量。因此研究大功率LED光源二次光學(xué)配光設(shè)計(jì),滿足大面積投光和泛光照明配光需求尤為迫切。通過二次光學(xué)設(shè)計(jì)技術(shù),設(shè)計(jì)外加的反射杯與多重光學(xué)透鏡及非球面出光表面,可以提高器件的取光效率。
非成像光學(xué)理論起源于二十世紀(jì)六十年代中期,1966年,Hinterberger 和Winston 在發(fā)表的一篇提高太陽能收集效率的文獻(xiàn)中首次提出“非成像光學(xué)”(Non.imaging Optics)一詞。非成像光學(xué)應(yīng)用主要目的是對光能傳遞的控制。然而成像并不被排除在非成像設(shè)計(jì)之外。非成像光學(xué)需要解決的兩個(gè)主要輻射傳遞的設(shè)計(jì)問題是使傳遞能量最大化并且得到需要的照度分布。這兩個(gè)設(shè)計(jì)領(lǐng)域通常被簡單的稱為集光和照明。
單芯片LED面光源的尺寸一般為1mm×1mm,為達(dá)到一定的光通量要求,通常采用多芯片陣列,作為面光源使用,增加LED的排列也就增加了發(fā)光有效面積,同時(shí)也會(huì)增加光源的光學(xué)擴(kuò)展量,而光源的光學(xué)擴(kuò)展量不能超過系統(tǒng)的光學(xué)擴(kuò)展量。因此在選擇LED光源時(shí),要考慮LED的尺寸、排列、功率、發(fā)光角度等問題,以實(shí)現(xiàn)較高的光能利用率。
常用的LED面光源集光元件包括CPC(合拋物面聚光器)、TLP及TIR透鏡等,下面分別介紹其各自特點(diǎn)和設(shè)計(jì)時(shí)的考慮。
1. CPC |