按照屏蔽原理可以分為電場屏蔽、磁場屏蔽和電磁屏蔽。在設(shè)計(jì)中要想達(dá)到所需的屏蔽性能,需要先明確輻射源、屏蔽范圍、再根據(jù)各個(gè)頻段的典型泄漏結(jié)構(gòu),確定控制要素,進(jìn)而選擇合適的屏蔽材料,設(shè)計(jì)屏蔽殼體。
屏蔽體的屏蔽效能由兩個(gè)部分組成,吸收損耗和反射損耗。當(dāng)電磁波射入到不同媒質(zhì)的分界面時(shí),就會(huì)產(chǎn)生反射。反射的電磁波稱為反射損耗,當(dāng)電磁波在屏蔽體中傳播時(shí)就構(gòu)成了吸收損耗。屏蔽效能 = 吸收損耗( A) + 反射損耗( R) + 多次反射損耗( B) ,如 圖 1 所示。

1.吸收損耗 A
吸收損耗是由電磁波的頻率、屏蔽體的相對(duì)磁導(dǎo)率和相對(duì)電導(dǎo)率共同決定,單位是 dB,表達(dá)式是:

式中,f 為電磁波頻率( Hz) ,μr、σr 為屏蔽體相對(duì)于銅的相 對(duì) 磁 導(dǎo) 率 和 相 對(duì) 電 導(dǎo) 率,t 為 屏 蔽 體 壁 厚( mm) 。
由此可以得出: 同一種屏蔽體,相對(duì)磁導(dǎo)率和相對(duì)電導(dǎo)率越大,吸收損耗越大,同時(shí),屏蔽體的厚度越大,吸收損耗也越大。因此,當(dāng)頻率一定時(shí),盡量選取相對(duì)磁導(dǎo)率和相對(duì)導(dǎo)電率越大的金屬材料,在條件允許的情況下盡可能增加屏蔽體厚度,以提高其吸收損耗。
2.反射損耗 R
反射損耗是由屏蔽體表面處阻抗不連續(xù)性引起的,平面波以 dB 為單位的表達(dá)式為:

由公式可以得出,電磁波頻率越大,反射損耗越少。對(duì)于同一種材料而言,相對(duì)磁導(dǎo)率越小和相對(duì)電導(dǎo)率越大,反射損耗就越大。因此,頻率一定時(shí),盡量選擇導(dǎo)磁率小、導(dǎo)電率大的材料以增加反射損耗。
3. 多次反射損耗 B
多次反射損耗是由電磁波在屏蔽體內(nèi)反復(fù)碰到壁面所產(chǎn)生的損耗。當(dāng)屏蔽體較厚或者頻率較高時(shí),屏蔽體吸收損耗較大,這樣當(dāng)電磁波在屏蔽體經(jīng)一次傳播后到達(dá)另一個(gè)分界面的時(shí)候已經(jīng)衰減很多,經(jīng)過多次反射,電磁波能量將會(huì)越來越小,一般在吸收損耗大于 15dB,多次損耗可以忽略。當(dāng)吸收損耗較小,此時(shí)多次損耗必須考慮。表達(dá)式為:

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